Hình ảnh để tham khảo chỉ liên hệ với chúng tôi để biết thêm hình ảnh
NAND512W3A2BZA6E
| EXSHINE Số Phần: | EX-NAND512W3A2BZA6E |
|---|---|
| nhà chế tạo Số Phần: | NAND512W3A2BZA6E |
| nhà chế tạo / Nhãn hiệu: | STMicroelectronics |
| Mô tả ngắn gọn: | IC FLASH 512MBIT 50NS 63VFBGA |
| Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS: | Không có chì / tuân thủ RoHS |
| Điều kiện: | New and unused, Original |
| Tải xuống biểu dữ liệu: | NAND128/256/512/01G-A (V7.0) |
| Ứng dụng: | - |
| Cân nặng: | - |
| Thay thế thay thế: | - |
Trong kho: 62155 chiếc có thể xuất xưởng trong 1-2 ngày.
Cổ phiếu tương lai: 12000 chiếc trong 7-10 ngày.
Thời gian sản xuất của nhà sản xuất: 8-10 tuần
- Sự miêu tả
- Thanh toán
- Đang chuyển hàng
- Bao bì
Thông số sản phẩm
| Voltage - Cung cấp | 2.7 V ~ 3.6 V |
|---|---|
| Gói thiết bị nhà cung cấp | 63-VFBGA (8.5x15) |
| Tốc độ | - |
| Loạt | - |
| Bao bì | Tray |
| Gói / Case | 63-VFBGA |
| Vài cái tên khác | 497-5041 |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Loại bộ nhớ | Non-Volatile |
| Kích thước bộ nhớ | 512Mb (64M x 8) |
| Định dạng bộ nhớ | FLASH |
| Số phần của nhà sản xuất | NAND512W3A2BZA6E |
| giao diện | Parallel |
| Sự miêu tả | IC FLASH 512MBIT 50NS 63VFBGA |
Khác
| gói tiêu chuẩn | 1,260 |
|---|---|
| Vài cái tên khác | 497-5041 |
|
|
T / T (Chuyển khoản) Nhận: 1-4 ngày. |
|
|
Paypal Tiếp nhận: ngay lập tức. |
|
|
Liên minh miền tây Nhận: 1-2 giờ. |
|
|
MoneyGram Nhận: 1-2 giờ. |
|
|
Alipay Tiếp nhận: ngay lập tức. |
 |
CHUYỂN PHÁT NHANH DHL Thời gian giao hàng: 1-3 ngày. |
 |
RPR RÀNG Thời gian giao hàng: 1-3 ngày. |
 |
R EX RÀNG Thời gian giao hàng: 2-4 ngày. |
 |
TUYỆT VỜI TNT Thời gian giao hàng: 3-6 ngày. |
 |
RPR RÀNG Thời gian giao hàng: 7-10 ngày. |
Sản phẩm liên quan
-
Hình ảnhSố phần MfgNhà sản xuất củaMô tả ngắn gọnBảng dữliệuTrong khoGiá mặt hàngĐặt hàng trực tuyến -
NAND512W3A2BV6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZB1ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZB6ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZB1STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZA1STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZA6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BV6ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BV6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZB1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZB6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BV6TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZA6E//NAND512W3A2BZA6FNumonyxNAND512W3A2BZA6E//NAND512W3A2BZA6F Numonyx SMD or Through Hole New in stockLượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZA1FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZA6STMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZA1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZB1FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZA6TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZB6FSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BV1TSTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu -
NAND512W3A2BZA1ESTMICROELECTRONICS128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories ILượt xemYêu cầu
Nhà phân phối STMicroelectronics
- Giao diện Storm - Mục đích của công ty: Phát triển, sản xuất và tiếp thị các thiết bị nhập dữ liệu chắc chắn và đáp ứng để sử dụng trong một loạt các ứng dụng công nghiệp và công cộng.
Keymat Technology Ltd. được thành lập vào tháng 3 năm 1986 với tư cách là một công ty tư nhân đăng ký tại Anh. Nó có trụ sở chính, trong khuôn viên toàn quyền sử riêng của mình, phía tây London, chỉ có bốn dặm về phía bắc của sân bay Heathrow. Bộ phận sản xuất của công ty ‘Storm Manufacturing’ có trụ sở tại Maldon, trên bờ biển phía đông nước Anh và bộ phận kinh doanh ở Bắc Mỹ của nó nằm ở Glen Ellyn, Illinois ngay bên ngoài Chicago.
Các công nghệ chuyển mạch lõi được phát triển bởi công ty được bảo vệ bởi các bằng sáng chế quốc tế và các ứng dụng bằng sáng chế. Những công nghệ này tiếp tục được phát triển và kết hợp trong các sản phẩm mới, sáng tạo để tăng thêm và bổ sung cho các dòng sản phẩm đã được thiết lập.
Chiến lược tiếp tục phát triển này đã giúp công ty tiếp cận thị trường một loạt các sản phẩm nhập dữ liệu dưới một nhãn hiệu “STORM” mạnh mẽ duy nhất. Đây là những sản phẩm thương hiệu cao cấp phản ánh các tiêu chuẩn kỹ thuật và hiệu suất chính xác đòi hỏi trong các môi trường quân sự, y tế, công nghiệp và công cộng ngày nay.