Hình ảnh để tham khảo chỉ liên hệ với chúng tôi để biết thêm hình ảnh
GAP3SLT33-220FP
| EXSHINE Số Phần: | EX-GAP3SLT33-220FP |
|---|---|
| nhà chế tạo Số Phần: | GAP3SLT33-220FP |
| nhà chế tạo / Nhãn hiệu: | GeneSiC Semiconductor |
| Mô tả ngắn gọn: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS: | Không có chì / tuân thủ RoHS |
| Điều kiện: | New and unused, Original |
| Tải xuống biểu dữ liệu: | GAP3SLT33-220FP Datasheet |
| Ứng dụng: | - |
| Cân nặng: | - |
| Thay thế thay thế: | - |
Thời gian thực có sẵn cho
GAP3SLT33-220FP
Trong kho: 75210 chiếc có thể xuất xưởng trong 1-2 ngày.
Cổ phiếu tương lai: 12000 chiếc trong 7-10 ngày.
Thời gian sản xuất của nhà sản xuất: 8-10 tuần
Trong kho: 75210 chiếc có thể xuất xưởng trong 1-2 ngày.
Cổ phiếu tương lai: 12000 chiếc trong 7-10 ngày.
Thời gian sản xuất của nhà sản xuất: 8-10 tuần
- Sự miêu tả
- Thanh toán
- Đang chuyển hàng
- Bao bì
Thông số sản phẩm
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu | 1.7V @ 300mA |
|---|---|
| Voltage - DC Xếp (VR) (Max) | 3300V (3.3kV) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp | TO-220FP |
| Tốc độ | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Loạt | - |
| Xếp Thời gian phục hồi (TRR) | 0ns |
| Bao bì | Tube |
| Gói / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Vài cái tên khác | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 175°C |
| gắn Loại | Through Hole |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất | 18 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất | GAP3SLT33-220FP |
| Mô tả mở rộng | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP |
| Loại diode | Silicon Carbide Schottky |
| Sự miêu tả | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR | 5µA @ 3300V |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) | 300mA |
| Dung @ VR, F | 42pF @ 1V, 1MHz |
Khác
| Vài cái tên khác | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
|---|---|
| gói tiêu chuẩn | 500 |
Bạn có thể chọn các tùy chọn thanh toán dưới đây. Vui lòng liên hệ với đội ngũ bán hàng của chúng tôi nếu bạn có bất kỳ câu hỏi.
|
|
T / T (Chuyển khoản) Nhận: 1-4 ngày. |
|
|
Paypal Tiếp nhận: ngay lập tức. |
|
|
Liên minh miền tây Nhận: 1-2 giờ. |
|
|
MoneyGram Nhận: 1-2 giờ. |
|
|
Alipay Tiếp nhận: ngay lập tức. |
Bạn có thể chọn các tùy chọn vận chuyển dưới đây, liên hệ với nhóm bán hàng của chúng tôi để kiểm tra chi phí vận chuyển đến địa chỉ của bạn.
Nếu bạn không muốn sử dụng dịch vụ vận chuyển của chúng tôi, bạn cũng có thể sắp xếp nhận hàng từ kho của chúng tôi hoặc vận chuyển bằng tài khoản chuyển phát nhanh của bạn.
 |
CHUYỂN PHÁT NHANH DHL Thời gian giao hàng: 1-3 ngày. |
 |
RPR RÀNG Thời gian giao hàng: 1-3 ngày. |
 |
R EX RÀNG Thời gian giao hàng: 2-4 ngày. |
 |
TUYỆT VỜI TNT Thời gian giao hàng: 3-6 ngày. |
 |
RPR RÀNG Thời gian giao hàng: 7-10 ngày. |
Sản phẩm liên quan
-
Hình ảnhSố phần MfgNhà sản xuất củaMô tả ngắn gọnBảng dữliệuTrong khoGiá mặt hàngĐặt hàng trực tuyến -
GAPM2054NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAP200VORIGINALNew Stocks GAP200V ORIGINAL SMD or Through HoleLượt xemYêu cầu -
GAP34MDS4T0000POSIGAP34MDS4T0000 POSI SMD or Through Hole new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
GAP3010TOSHIBAGAP3010 SMD or Through Hole Original Package StockLượt xemYêu cầu -
GAPM2095PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAPM2070PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAP05SLT80-220GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIALTải vềLượt xemUS$ 295.486Yêu cầu -
GAPM2004NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAP201G-PLUSNew Stocks GAP201 G-PLUS QFNLượt xemYêu cầu -
GAPM2012NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAP529N/YGAP529 N/Y SIP3 new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
GAP07N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAP3SLT33-214GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214Tải vềLượt xemUS$ 12.448Yêu cầu -
GAP123ORIGINALGAP123 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
GAPM2014NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAP100ORIGINALGAP100 ORIGINAL CAN3 new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
GAPM2030NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAP21ORIGINALLow Price GAP21 ORIGINAL SMD or Through HoleLượt xemYêu cầu -
GAPM2007NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu -
GAPM2055NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsLượt xemYêu cầu
Nhà phân phối GeneSiC Semiconductor
- Global Power Technologies Group, Inc (“GPTG”) được thành lập năm 2007 là một công ty sản xuất và phát triển tích hợp dành riêng cho các sản phẩm dựa trên công nghệ Silicon Carbide (SiC). Những sản phẩm này sẽ là nền tảng cho các ngành công nghiệp điện tử và năng lượng điện trong những năm tới, nơi công nghệ tiên tiến cần thiết cho việc sản xuất, chuyển đổi và truyền tải điện hiệu quả, tiết kiệm chi phí thấp.