Hình ảnh để tham khảo chỉ liên hệ với chúng tôi để biết thêm hình ảnh
RFM03U3CT(TE12L)
| EXSHINE Số Phần: | EX-RFM03U3CT(TE12L) |
|---|---|
| nhà chế tạo Số Phần: | RFM03U3CT(TE12L) |
| nhà chế tạo / Nhãn hiệu: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Mô tả ngắn gọn: | MOSFET N-CH RF-CST3 |
| Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS: | Không có chì / tuân thủ RoHS |
| Điều kiện: | New and unused, Original |
| Tải xuống biểu dữ liệu: | RFM03U3CT |
| Ứng dụng: | - |
| Cân nặng: | - |
| Thay thế thay thế: | - |
Trong kho: 76840 chiếc có thể xuất xưởng trong 1-2 ngày.
Cổ phiếu tương lai: 12000 chiếc trong 7-10 ngày.
Thời gian sản xuất của nhà sản xuất: 8-10 tuần
- Sự miêu tả
- Thanh toán
- Đang chuyển hàng
- Bao bì
Thông số sản phẩm
| Điện áp - Kiểm tra | 3.6V |
|---|---|
| Voltage - Xếp hạng | 16V |
| Loại bóng bán dẫn | N-Channel |
| Gói thiết bị nhà cung cấp | RF-CST3 |
| Loạt | - |
| Power - Output | 3W |
| Bao bì | Cut Tape (CT) |
| Gói / Case | 2-SMD, No Lead, Exposed Pad |
| Vài cái tên khác | RFM03U3CT(TE12L)CT |
| tiếng ồn Hình | - |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Số phần của nhà sản xuất | RFM03U3CT(TE12L) |
| Lợi | 14.8dB |
| Tần số | 520MHz |
| Mô tả mở rộng | RF Mosfet N-Channel 3.6V 500mA 520MHz 14.8dB 3W RF-CST3 |
| Sự miêu tả | MOSFET N-CH RF-CST3 |
| Đánh giá hiện tại | 3A |
| Hiện tại - Kiểm tra | 500mA |
Khác
| gói tiêu chuẩn | 1 |
|---|---|
| Vài cái tên khác | RFM03U3CT(TE12L)CT |
|
|
T / T (Chuyển khoản) Nhận: 1-4 ngày. |
|
|
Paypal Tiếp nhận: ngay lập tức. |
|
|
Liên minh miền tây Nhận: 1-2 giờ. |
|
|
MoneyGram Nhận: 1-2 giờ. |
|
|
Alipay Tiếp nhận: ngay lập tức. |
 |
CHUYỂN PHÁT NHANH DHL Thời gian giao hàng: 1-3 ngày. |
 |
RPR RÀNG Thời gian giao hàng: 1-3 ngày. |
 |
R EX RÀNG Thời gian giao hàng: 2-4 ngày. |
 |
TUYỆT VỜI TNT Thời gian giao hàng: 3-6 ngày. |
 |
RPR RÀNG Thời gian giao hàng: 7-10 ngày. |
Sản phẩm liên quan
-
Hình ảnhSố phần MfgNhà sản xuất củaMô tả ngắn gọnBảng dữliệuTrong khoGiá mặt hàngĐặt hàng trực tuyến -
RFM02-868-DHOPERFM02-868-D HOPE SMD or Through Hole new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM03U3CT/TE12LTOSHIBARFM03U3CT/TE12L TOSHIBA SMD or Through Hole new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM04U6PTOSHIBARFM04U6P SOT89 Original Package StockLượt xemYêu cầu -
RFM02-868-S1HOPERFM02-868-S1 HOPE SMD or Through Hole new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM03U3CTTOSHIBAField Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ICLượt xemYêu cầu -
RFM0836-10RFHICPower AmplifierLượt xemYêu cầu -
RFM01U7PTOSHIBARFM01U7P TOSHIBA SOT89 New in stockLượt xemYêu cầu -
RFM02HOPERFRFM02 HOPERF SMD or Through Hole new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM02-433-S1HOPERFM02-433-S1 HOPE SMD or Through Hole new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM02-868DHOPERFRFM02-868D HOPERF SMD or Through Hole new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM03U3TOSHIBARFM03U3 TOSHIBA RF-CST3 new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM01U7P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH PW-MINITải vềLượt xemUS$ 1.72Yêu cầu -
RFM0415-10RFHICPower AmplifierLượt xemYêu cầu -
RFM0882-10RFHICPower AmplifierLượt xemYêu cầu -
RFM04U6P(TE12L.F)TOSHIBARFM04U6P(TE12L.F) SMD or Through Hole Original Package StockLượt xemYêu cầu -
RFM04U6TOSHIBARFM04U6 PW-MINI Original Package StockLượt xemYêu cầu -
RFM08U9XTOSHIBARFM08U9X TOSHIBA PW-X new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM03178EBORIGINALRFM03178EB ORIGINAL QFN-30D new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM08U9TOSHIBARFM08U9 TOSHIBA PW-X new date code and low priceLượt xemYêu cầu -
RFM04U6P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH PW-MINITải vềLượt xemYêu cầu
Nhà phân phối Toshiba Semiconductor and Storage
- Touchstone Semiconductor Inc. tạo ra các giải pháp mạch tích hợp tương tự hiệu suất cao (IC) giải quyết các vấn đề quan trọng cho các công ty điện tử. Các sản phẩm độc quyền của chúng tôi cung cấp sự kết hợp độc đáo giữa các tính năng và hiệu suất không thể tìm thấy ở nơi khác trong thị trường tương tự. Các sản phẩm nguồn thứ hai của chúng tôi tương thích với pin và đặc điểm kỹ thuật giống với các dịch vụ cạnh tranh, cung cấp một giải pháp thay thế lý tưởng cho các sản phẩm có nguồn gốc duy nhất. Được thành lập vào năm 2010, Touchstone có trụ sở tại Milpitas, Calif. Các nhà đầu tư của nó bao gồm Opus Capital và Khosla Ventures.
Nhiệm vụ của chúng tôi tại Touchstone Semiconductor là thiết kế các IC tương tự hiệu suất cao tuyệt vời giúp bạn giải quyết các vấn đề của khách hàng. Chúng tôi làm điều này bằng cách phát triển các IC analog hiệu năng cao cực thấp giúp giảm mức tiêu thụ điện năng trong các sản phẩm của bạn.